BD139 NPN 100V 1A 8W TO126 - vermogentransistor
Referentie
BD139
Details
- Collector emitter spanning (UCEO): 80V
- Collector Stroom (IC): 1,5A
- DC Stroomversterking (HFE): min. 100
- Vermogensdissipatie (Pd): 12,5W
- RoHS-conform
- Behuizing: TO-126
- Werkingstemperatuur: -55° tot 150°C
Meer informatie
| Referentie | BD139 |
|---|---|
| Data sheet | BD139.pdf |
| Technische fiche | 29.jpg |
| Zolang de voorraad strekt | Nee |
Technische specificaties
Technische specificaties
- Producttype: vermogentransistor
- Fabrikant: Continental Device India
- Serie: BD139
- Fabrikantreferentie: BD139.16
- Schukat-referentie: BD139-16
- Transistorpolariteit: NPN
- Collector-emitterspanning (UCEO): 80 V
- Collectorstroom (IC): 1,5 A
- DC current gain min. (hFE): 100
- Vermogensdissipatie (Pd): 12,5 W
- Montage: THT
- Aantal pinnen: 3
- Behuizing: TO-126
- Levervorm: boxed
- Junctietemperatuur: -55 °C tot +150 °C
- Opslagtemperatuur: -55 °C tot +150 °C
- RoHS-conform
* Ondanks een zeer uitgebreid voorraadsysteem, is het mogelijk dat de voorraadstatus niet overeenstemt met de actuele voorraad. Aarzel niet ons te contacteren, indien u zekerheid wenst over de beschikbaarheid.
** De weergegeven foto bij de producten kan verschillen van het eigenlijke product.
***Een fout op deze pagina opgemerkt? Laat het ons zeker weten via sara@gotron.be.