Signal diode Si-diode 100V-200mA DO35
Referentie
1N4447
Meer informatie
| Referentie | 1N4447 |
|---|---|
| Data sheet | 1N4447.pdf |
| Technische fiche | DO35.jpg |
| Zolang de voorraad strekt | Nee |
Technische specificaties
Technische specificaties
- Producttype: silicon epitaxial planar diode
- Toepassingstype: general purpose diode / switching diode
- Hoge schakelsnelheid: max. 4 ns
- Reverse voltage: max. 75 V
- Peak reverse voltage: max. 100 V
- Conformiteit: Pb-vrij / RoHS
Technische beschrijving
- De 1N4447 is een snelle signaal- en schakeldiode voor algemene elektronische toepassingen.
- Door de epitaxiale planaire opbouw is dit type geschikt voor snelle schakelingen.
* Ondanks een zeer uitgebreid voorraadsysteem, is het mogelijk dat de voorraadstatus niet overeenstemt met de actuele voorraad. Aarzel niet ons te contacteren, indien u zekerheid wenst over de beschikbaarheid.
** De weergegeven foto bij de producten kan verschillen van het eigenlijke product.
***Een fout op deze pagina opgemerkt? Laat het ons zeker weten via sara@gotron.be.