IRF9610PBF transistor
Referentie
IRF9610PBF
Meer informatie
| Referentie | IRF9610PBF |
|---|---|
| Zolang de voorraad strekt | Nee |
Technische specificaties
Algemene productidentificatie
- Producttype: vermogens-MOSFET
- Serie: IRF_
- Polarisatie: P-kanaal
- Aantal kanalen: 1
Elektrische kenmerken
- Drain-source spanning max.: -200 V
- Continue drainstroom: -1,8 A
- Gate-source spanning: 20 V
- Vermogensdissipatie: 20 W
- Drain-source weerstand max.: 3000 mOhm
Mechanische eigenschappen en afmetingen
- Behuizing: TO-220AB
- Pin-aantal: 3
Montage en installatiewijze
- Montage: THT
Omgevingscondities en temperatuurbereik
- Junctietemperatuur: -55 °C tot +150 °C
- Opslagtemperatuur: -55 °C tot +175 °C
* Ondanks een zeer uitgebreid voorraadsysteem, is het mogelijk dat de voorraadstatus niet overeenstemt met de actuele voorraad. Aarzel niet ons te contacteren, indien u zekerheid wenst over de beschikbaarheid.
** De weergegeven foto bij de producten kan verschillen van het eigenlijke product.
***Een fout op deze pagina opgemerkt? Laat het ons zeker weten via sara@gotron.be.