Transistor IRF830 N-CH 500V 4,5A 74W
Referentie
IRF830
Meer informatie
| Referentie | IRF830 |
|---|---|
| Merk | OBSOLETE |
| Zolang de voorraad strekt | Nee |
Technische specificaties
Algemene productidentificatie
- Producttype: vermogens-MOSFET
- Serie: IRF_
- Polarisatie: N-kanaal
- Aantal kanalen: 1
Elektrische kenmerken
- Drain-source spanning max.: 500 V
- Continue drainstroom: 4,5 A
- Gate-source spanning: 20 V
- Vermogensdissipatie: 74 W
- Drain-source weerstand max.: 1500 mOhm
Mechanische eigenschappen en afmetingen
- Behuizing: TO-220AB
- Pin-aantal: 3
Montage en installatiewijze
- Montage: THT
Omgevingscondities en temperatuurbereik
- Junctietemperatuur: -55 °C tot +150 °C
- Opslagtemperatuur: -55 °C tot +150 °C
* Ondanks een zeer uitgebreid voorraadsysteem, is het mogelijk dat de voorraadstatus niet overeenstemt met de actuele voorraad. Aarzel niet ons te contacteren, indien u zekerheid wenst over de beschikbaarheid.
** De weergegeven foto bij de producten kan verschillen van het eigenlijke product.
***Een fout op deze pagina opgemerkt? Laat het ons zeker weten via sara@gotron.be.