IRF530 NMOS 100V 16A TO-220 power FET
Referentie
IRF530
Meer informatie
| Referentie | IRF530 |
|---|---|
| Technische fiche | 17d.jpg |
| Zolang de voorraad strekt | Nee |
Technische specificaties
Technische specificaties
- Producttype: vermogens-MOSFET
- Fabrikant: Infineon
- Serie: IRF_
- Fabrikantreferentie: IRF530NPBF
- Aantal kanalen: 1
- Polarisatie: N-kanaal
- Drain-source-spanning max. (Uds): 100 V
- Continue drainstroom (Id): 17 A
- Gate-source-spanning (Ugs): 20 V
- Vermogensdissipatie (Pd): 70 W
- Drain-source-weerstand max. (RDS(on)): 90 mOhm
- Montage: THT
- Behuizing: TO-220AB
- Aantal pinnen: 3
- Levervorm: tube
- Bedrijfstemperatuur: -55 °C tot +175 °C
- RoHS-conform
* Ondanks een zeer uitgebreid voorraadsysteem, is het mogelijk dat de voorraadstatus niet overeenstemt met de actuele voorraad. Aarzel niet ons te contacteren, indien u zekerheid wenst over de beschikbaarheid.
** De weergegeven foto bij de producten kan verschillen van het eigenlijke product.
***Een fout op deze pagina opgemerkt? Laat het ons zeker weten via sara@gotron.be.